长江存储计划跳过96层方案：2020年上马128层堆叠闪存

3D堆叠、TLC/QLC闪存等技术的发展，让大容量、低价格的SSD成为可能。为了让容价比更上一层楼，72层、96层堆叠技术正如火如荼，预计在2019年迎来量产爆发期，包括 Intel、美光、三星、SK海力士、东芝等都做了规划。

虽然只是业内新人，不过我国的长江存储已经开始供货32层闪存产品，并预期在明年第三、四季度量产64层堆叠的3D NAND闪存芯片，该芯片现正处于出样阶段。

据Digitimes报道，长江存储最新的技术路线图是，跳过96层闪存，直接在2020年左右上马量产128层堆叠产品。

这样一来，长江存储就很有希望在代际上追平同时期的传统大厂，如果产能跟得上，还将对国外品牌在中国市场的销售造成可观的冲击。

值得一提的是，长江存储试样中的64层闪存芯片已用上自主Xtacking架构，即在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，从而将I/O速度提升到3Gbps。

2018年NAND闪存价格由涨转跌，NAND闪存价格至少跌了50%，主要原因是64层3D NAND闪存堆栈产能大幅增加，市场供应大增，今年底三星、东芝等公司又推出了96层堆栈的3D NAND闪存，2019年将是量产的主力。国内的长江存储今年量产了32层堆栈的3D NAND闪存，不过真正规模量产的还是明年的64层堆栈3D NAND闪存。为了尽快缩短与国外厂商的差距，长江存储在2020年将跳过96层堆栈的3D闪存，直接量产128层堆栈的3D闪存。

NAND闪存从2D进入3D时代之后，堆栈层数成了提高容量、降低成本的一个重要指标，三星、东芝、美光、SK Hynix、英特尔等公司已经先后量产了24/32层、64/72层及96层堆栈的3D NAND闪存，其中96层堆栈的3D闪存是今年推出的，2019年会是几家NAND大厂的量产主力，核心容量也提升到了1Tb-1.33Tb级别。

相比这些公司，主力搞3D闪存的长江存储今年生产的还是32层堆栈的，核心容量仅为64Gb，月产能大概是6000片晶圆/月，主要用于U盘芯片等低端产品。按照规划，长江存储2019年将会量产64层堆栈的3D闪存，Digitimes报道称长江存储CEO杨士宁表示2019年底开始生产64层堆栈的3D NAND闪存，公司的毛利率将从负的转向正的，量产之后产能可达10万片晶圆/月。

虽然64层堆栈层数明年还是会落后于三星等大厂，不过长江存储今年在FMS国际会议推出了3D Xtacking技术，只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

此外Xtacking技术可以充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。

长江存储对Xtacking技术也很自信，所以杨士宁表示他们的64层3D NAND闪存能够与现有的96层堆栈3D闪存相竞争。

在此之后，长江存储在2020年会跳过96层堆栈直接进入128层堆栈的3D NAND时代，那个时候三星等国际公司大概也是刚刚量产128层堆栈的3D闪存，至少技术层面上不会再落后太多了。

对于国内的存储芯片公司来说，即便技术差距缩短了，如何在这个市场中活下来依然是长期的难点，产能爬坡、良率等问题对没有多少经验的国内存储公司来说还需要很多时间才能解决，更别说制造出有竞争力、能赚钱的NAND芯片了。