东莞方形磁铁反磁化核的形核场
在反磁化过程中，除了壁移和磁化转动以外，还有反磁化核的形成和长大。所谓反磁化核是指其中的磁矩方向与周围环境的磁矩方向相反的一个小区域。在某些单相多畴的磁性材料中，如果畴壁移动遇到的阻力十分小，则很容易磁化到饱和，同时，如果材料的磁晶各向异性常数xl很大，那么在反磁化过程中形成一个临界大小的反磁化核就十分困难。而一旦形成这样一个反磁化核，它就会迅速地长大，实现反磁化。
设反磁化核为旋转椭球体，如图2—17。当反磁化核长大时，设其畴壁面积增加d5，则畴壁能增加yw·d5，由于反磁化畴核的磁短与周围环境的磁矩方向相反，反磁化核的表面存在退磁场，当反磁化核长大时，退磁场能增加风。反磁化畴核的长大是畴壁的位移过程，它要克服畴壁位移阻力而做功。畴壁位移克服最大阻力所做的劝为2HnMs／4dv，其中Ho为反磁化核发生不可逆壁移长大的临界场，也可认为是钉扎场，即Ho＝HP；dy为反畴化核长大时体积的增量。反磁化畴核的长大是在反磁化场的作用下进行的，其静磁能的变化为2删sAdV。上述四项能量中，前三项起阻碍反磁化畴核长大的作用，而后一项将促进反磁化畴核的长大。因此反磁化畴核长大的能量条件为由上式可求得形成一个临界大小的反磁化畴核所需要的磁场为式中，Hs称为形核场(或称发动场)，它是在材料的一个小区域内发动一个反磁化核成长所需的磁场。HD是使一块畴壁移动时克服最大阻力所必需的磁场(式2—12)，它通常总是小于Hs。如果磁化开始时，样品处于磁呻性状态，那么它的内部便有瞬壁存在，所以外磁场只需达到Ho就可使样品饱和磁化。但饱和以后，再要它反磁化，外磁场的数值就必须达到H9才能使反磁化核长大，这时形核场HL就是材料的矫顽力。
式2—14表明，形核场与反磁化核的短轴直径d成反比，形核场可使材料中存在的反磁化核长大到出现尺寸，这一临界尺寸d越小，所需的H5就越大；形核场与畴壁能密度7成正比，在畴壁能密度很大的材料中，形核场可以很大，如3rnc屿合金的矫顽力由形核场决定，其矫顽力可达1200一4800Wm。反磁化核形成时牵涉到磁矩的转动，长大时又牵涉到畴壁的移动，但由它决定的矫顽力的数值往往在壁穆矫顽力(式2—l2)和畸转娇顽力(式2—13)之间。因为永磁体内部晶体结构不完整或化学成分不均匀，将会导致材料内部的y不均匀，出现某些低y的区域，这些区域便可能成为反磁化核的形成中心，使材料过早地实现反磁化，从而导致矫顽力的降低。对于形核场决定矫顽力的磁性材料来说，要力争最大限度地减少反磁化畴的形核中心，是提高矫顽力的重要途径。
双合金法制备烧结NdFeB永磁材科